29.09.2021
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Пензенский государственный технологический университет»
XXI век: итоги прошлого и проблемы настоящего плюс, № 3(55) 29.09.2021
10.46548/21vek-2021-1055-0004
Михайлов Петр Григорьевич - Пензенский государственный технологический университет
Базарбай Лашын - НАО КазНИТУ имени К.И. Сатпаева
Бактыбаев Мурат Кыргызбаевич - НАО КазНИТУ имени К.И. Сатпаева
Материалы, их свойства и возможности составляют основу развития всех отраслей науки и технологий. Характеристики материалов полностью определяют основные электрофизические свойства микроэлектронных приборов и в целом приборостроения. В указанных приложениях требуются материалы высочайшей чистоты и химической стойкости. В многостадийном технологическом процессе изготовления полупроводниковых приборов используемые материалы не должны деградировать со временем. В процессе проведения операций по формированию структуры полупроводниковых элементов и узлов микроприборов используются различные разномасштабные технологические операции и переходы. К ним относятся операции напыления наноструктурных металлических пленок из высокопроводящих и резистивных сплавов, формирование изоляционных и защитных неметаллических пленок, операции анизотропного и изотропного травления, модификации материалов с использованием ионного легирования и прочих операций. В статье описаны варианты модификации материалов микроэлектронных датчиков с целью улучшения их метрологических характеристик: расширения рабочего температурного диапазона, увеличения ресурса, и проч. Предложены методы, внедренные в существующие технологии и конструкции, которые отвечают заявленным требованиям.
| 25-28.pdf |
|---|